개강일 지남
반도체 핵심공정 온라인 실습 입문: 소자부터 증착까지
윈스펙원격평생교육원 · 45회차 · 서울 강남구
반도체K-디지털기초
프로그램 요약
SK하이닉스 수석연구원 출신 강사가 가르치는 반도체 소자·포토·식각·증착 공정 온라인 실습 입문 과정(NCS)
- 모집마감
- 2026-08-11 15:00 기관
- 수업일정
- 2026.08.05 ~ 2026.09.04약 1개월
- 수업안내
- 4주간 / 온라인 VOD, 24차시 기관
- 모집정원
- 51명 / 50명100% 찼어요
- 총 시간
- 미표기
- 학습장소
- 서울서울특별시 강남구 역삼로3길 11온라인
- 강의장
- 10층 1003호(역삼동, 광성빌딩)
- 수강료
- 42,350원
출처 · 고용24 등록값 · 기관 표기분은 별도 표시
어떤 분이 수강하면 좋을지
- ✓전공·학력 무관 — K-디지털 기초역량은 제도상 전공을 보지 않습니다
- ✓(기본이론 포함) 본 과정은 반도체 소자 및 공정에 대한 기초 이론부터 실무 응용까지 단계적으로 학습할 수 있도록 구성된 입문 과정으로, 반도체 전공자와 비전공자 모두 수강할 수 있도록 설계되었습니다. 반도체 분야에 관심은 있었지만 학습 기회가 부족했던 비전공자, 소자 구조와 공정 흐름을 처음부터 실습 중심으로 배우고자 하는 취업 준비생이 주요 대상입니다. 또한, 전기·전자·물리·소재·기계 계열 전공자 중 소자-공정 연계 구조에 대한 이해를 바탕으로 직무 전환을 준비하는 초급 실무자, 이직 희망자도 수강 가능합니다. PN접합, MOSFET 등 반도체 소자의 구조와 동작 원리를 이론과 실습을 통해 체계적으로 학습하며, 포토, 식각, 증착 등 실제 제조 공정의 기본 원리와 특성을 함께 익힐 수 있습니다. 실습과제는 각각 기본과제와 심화과제로 구성되어 있으며, 실제 산업 현장에서 요구되는 실무 문제 해결 역량을 강화할 수 있도록 설계하였습니다.
출처 · 기관 랜딩페이지 · 제도 요건
커리큘럼
- 11주차 반도체 물성·소자
PN접합 다이오드 · MOSFET
- 22주차 포토공정
포토 공정 개요·설비·소재 · 해상도 개선기술 · 최신 포토기술 EUVL
- 33주차 식각공정
식각 공정 개요 · 진공·플라즈마 기술 · 건식식각 특성·설비 · 원자층 식각(ALE)
- 44주차 박막 증착 공정
물리적 기상증착(PVD) · 화학적 기상증착(CVD) · 원자층 증착(ALD)
고용24 등록 교과목 26개 보기
- 교과목단원명
- 오리엔테이션1. 본 과정의 강사 소개 2. 본 과정의 커리큘럼 소개
- 반도체물성1. 반도체의 기본 특성과 전자/정공의 이동 2. 불순물 첨가(N형/P형 반도체)와 에너지 준위 변화 3. 반도체 내 전류 흐름과 드리프트/확산 전류
- 반도체소자 - PN접합 다이오드1. PN 접합 다이오드의 구조와 열 평형 상태 2. 순방향 및 역방향 바이어스 상태에서의 동작 원리 3. 다이오드의 항복(Breakdown) 현상과 특성
- 반도체소자 - MOSFET(1)1. MOSFET의 구조와 기본 동작 원리 2. MOS Capacitor의 구조와 동작 모드 3. MOSFET의 문턱 전압(Threshold Voltage) 특성
- 반도체소자 - MOSFET(2)1. MOSFET의 채널 형성과 동작 원리 2. MOSFET의 동작 영역과 포화(Saturation) 현상 3. MOSFET의 전달 특성(Transfer Characteristic)과 출력 특성(Output Characteristic)
- ★실습과제★ 반도체 소자1. MOSFET의 구조 및 동작 원리 – MOSFET의 4단자(소스, 드레인, 게이트, 기판) 역할 및 동작 모드 학습 2. 공정 변수와 소자 특성 분석 – 게이트 산화막 두께, 채널 이온 주입 농도 등의 공정 변수가 소자 성능에 미치는 영향 분석 3. 실제 데이터 분석 및 공정 최적화 – 측정 데이터를 기반으로 소자의 문턱전압(VT) 및 포화전류(ID) 특성을 평가하고 최적의 공정 조건 도출
- 포토 공정 개요1. 포토 공정의 정의와 기본 개념 2. 포토 공정의 주요 단계 및 흐름 3. 포토레지스트(PR)와 노광(Exposure) 원리
- 포토 공정 설비 및 소재1. 포토 공정에서 사용되는 트랙 설비의 역할과 구성 2. 노광 설비의 원리 및 노광원(Light Source) 종류 3. Scanner 및 Stepper 방식의 노광 시스템 비교
- 포토 공정 인자 및 평가1. 노광 공정에서 회절과 간섭이 해상도에 미치는 영향 2. 포토 공정의 주요 인자(해상도, 초점 심도, NA 등)와 관계 3. 포토 공정 평가 방법(Exposure Latitude, Focus-Exposure Matrix, Overlay)
- 해상도 개선기술1. 광원의 단파장화 기술 및 발전 과정 2. 고 NA화(ArF Immersion) 기술과 해상도 개선 원리 3. 공정 파라미터 K1 저감 기술과 해상도 극대화 방법
- 최신 포토기술- EUVL1. EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography) 기술의 원리와 도입 배경 2. EUVL 공정에서 사용되는 광원, 광학계, 마스크의 특성 및 한계점 3. EUVL 포토 레지스트(PR)의 특성과 공정 제어 문제
- ★실습과제★ 포토 공정1. 포토 공정에서 해상도(Resolution)와 초점심도(DOF) 개선 방법 이해 2. SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning) 공정의 원리 및 진행 과정 3. FEM(Focus Energy Matrix) 분석 및 Bossung Curve 해석
- 식각 공정 개요1. 식각 공정의 개념과 주요 역할 2. 식각 공정의 주요 파라미터와 공정 특성 3. 습식 식각 공정의 원리 및 한계점
- 진공 및 플라즈마 기술1. 진공 기술과 플라즈마 기술의 개념 및 반도체 공정에서의 역할 2. 진공 펌프의 종류 및 작동 원리 3. 플라즈마 발생 원리와 직류(DC) 및 고주파(RF) 플라즈마의 차이점
- 건식 식각 공정 특성 및 설비1. 건식 식각 공정의 개념과 물리적·화학적 식각 방식의 차이점 2. RF 플라즈마 식각 설비의 주요 구성 요소 및 원리 3. 식각 균일도를 개선하기 위한 설비 기능 조절 방법
- 건식 식각 공정 인자 영향1. 건식 식각 공정 운전 변수가 식각 속도 및 형상에 미치는 영향 2. 부하(Loading) 효과와 식각 균일성 문제의 원인 및 해결 방법 3. 식각 측면 형상(Profile) 이상 현상의 주요 원인과 보정 방법
- 주요 소재별 건식 식각 특성 및 원자층 식각1. 주요 소재별 건식 식각용 반응 가스와 식각 반응 특성 2. 원자층 식각(ALE)의 기본 개념과 기존 RIE(반응성 이온 식각)과의 차이점 3. Plasma-Enhanced ALE(PALE) 방식의 필요성과 응용 분야
- ★실습과제★ 식각 공정1. SEM 이미지를 활용하여 Bowing, Micro-trenching 등의 식각 불량 현상 원인을 분석하고 해결 방안을 도출 2. 다층 구조의 선택적 식각 공정 이해 3. 식각 공정의 주요 변수(압력, 전력, 가스 조성 등)를 조절하여 원하는 식각 특성을 구현
- 박막 증착 공정 개요1. 박막 증착 공정의 개요 및 반도체 제조에서의 역할 2. 박막 증착 공정에서의 주요 파라미터와 공정 조건이 증착 품질에 미치는 영향 3. 박막 증착 공정의 균일도, 접착력, 응력 등의 주요 특성과 제어 방법
- 물리적 기상 증착1. 물리적 기상 증착(PVD)의 원리와 반도체 공정에서의 역할 2. 다양한 스퍼터링(Sputtering) 방식과 그 특성 (DC, Magnetron, Reactive Sputtering) 3. Sputtering 공정 운전 변수(압력, 전력, 기판 온도)가 증착 품질에 미치는 영향
- 화학적 기상 증착 - 개요1. 화학 기상 증착(CVD)의 원리와 박막 형성 메커니즘 2. CVD 공정의 주요 조건과 박막 품질에 미치는 영향 3. 화학 기상 증착 공정의 종류(APCVD, LPCVD, PECVD)와 특성 비교
- 화학적 기상 증착 - 공정 및 설비1. 다양한 CVD 반응기(Reactor) 유형과 각각의 특성 2. AP-CVD, LP-CVD, PE-CVD, HDP-CVD 공정의 원리 및 차이점 3. CVD 공정 방식별 특징과 장단점 비교
- 원자층 증착 공정(ALD)1. 원자층 증착(ALD)의 원리와 자기 제한적(Self-Limited) 반응 메커니즘 2. ALD와 CVD의 차이점 및 각 공정의 특성 비교 3. PE-ALD(Plasma Enhanced ALD) 및 ALD의 생산성 향상 대책
- ★최종 실습과제 안내★ 박막 증착 공정1. 스퍼터링(Sputtering)과 PE-CVD 공정의 원리 및 특성 비교 2. 웨이퍼 내 박막 두께 데이터 분석을 통해 균일도 및 공정 변수가 박막 형성에 미치는 영향 평가 3. LPCVD(Low-Pressure CVD) 공정에서 온도, 압력, 가스 유량이 박막 특성에 미치는 영향 분석
- 총 훈련시간35 시간
출처 · 기관 랜딩페이지 · 접힘은 고용24 등록 교과목
지원 혜택
학습 지원
- ·SK하이닉스 수석연구원 출신 강사 1:1 과제 피드백
- ·복습기간 12개월 제공
- ·NCS 수료증 발급
자격증
- ·자격증 취득 지원: NCS 수료증(반도체개발 19030601)
출처 · 기관 랜딩페이지 · 훈련장려금은 제도
지원 절차
기관이 공개한 절차 정보가 없습니다. 지원하면 상담에서 안내받습니다.
출처 · 기관 랜딩페이지 · 기관마다 다릅니다
자주 묻는 질문
비전공자도 지원할 수 있나요?
K-디지털 기초역량은 제도상 전공·학력을 보지 않습니다. 다만 기관이 밝힌 훈련 대상이 있어 위 「어떤 분이 수강하면 좋을지」를 함께 확인하세요.
내일배움카드가 꼭 있어야 하나요?
지원 시점에 없어도 됩니다. 상담 단계에서 발급을 진행합니다. 다만 수강신청은 카드가 있어야 마칠 수 있습니다.
실제로 얼마를 내나요?
42,350원입니다. 강의금액 423,500원 → 내일배움카드 보유 시 90% 국비지원, 자부담 42,350원(10%). 선착순 50명.
선발 절차가 있나요?
기관이 공개한 절차에서 별도 시험·전형은 확인되지 않았습니다. 상담 후 수강신청으로 이어집니다.
예전에 국비 교육을 들었는데 또 되나요?
중복수강 제한이 있을 수 있습니다. 최근 수료 이력이 있으면 상담 단계에서 먼저 확인해야 합니다.
출처 · 제도 요건 · 과정 데이터로 답이 채워지는 질문만
기관 랜딩페이지 https://winspec.co.kr/ncs/digital/1970
고용24 2026-08-14 기준 · 매일 갱신
